Módulo IGBT FP75R12KT4B11BOSA1 Infineon
INFINEON
Módulo IGBT de Infineon con configuración de inversor trifásico para aplicaciones de potencia industrial.
Descripción
El módulo IGBT FP75R12KT4B11BOSA1 de Infineon es un componente de semiconductores de potencia con voltaje de 1200 V y corriente máxima de 75 A, diseñado para montaje en chasis. Incluye diodos integrados y un termistor NTC para monitoreo térmico, operando en un rango de temperatura de -40°C a 150°C. Este módulo de la serie EconoPIM 3 ofrece eficiencia en aplicaciones como control de motores y convertidores de energía.
