módulo IGBT Infineon FZ1200R17HE4
INFINEON
Módulo IGBT de alta potencia de Infineon en encapsulado IHM B para aplicaciones industriales.
Descripción
Módulo IGBT de Infineon Technologies con tecnología IGBT4 y diodo Emitter Controlled 4 (EC4). Opera con tensión máxima de 1700 V y corriente nominal de 1200 A. Diseñado para aplicaciones industriales exigentes con aislamiento de 4 kV AC y temperatura de unión hasta 150 °C. Incluye base de cobre y cumple con RoHS.